O novo dispositivo incorpora a tecnologia de 3 bits por célula (triple-level cell, TLC) e alcança uma capacidade de 256 gigabits (32 gigabytes), “um avanço que salienta o potencial da arquitetura exclusiva da Toshiba”, lê-se no comunicado de imprensa, adiantando que a Toshiba continua a refinar o BiCS Flash, sendo o próximo marco no mapa do desenvolvimento um dispositivo de 512 gigabits (64 gigabytes), também com 64 camadas.
O novo dispositivo sucede o BiCS Flash de 48 camadas, e o seu processo de empilhamento de ponta com 64 camadas compõe uma capacidade 40% maior por tamanho de chip de unidade que um processo de empilhamento com 48 níveis, reduz o custo por bit, e aumenta o fabrico de capacidade de memória por uma pastilha de silício, garante a empresa em comunicado.
“A BiCS Flash com 64 camadas pode satisfazer especificações de desempenho exigentes, e o novo dispositivo será utilizado em aplicativos que incluem SSD comercial e empresarial, smartphones, tablets e cartões de memória”.
Desde que anunciou o primeiro protótipo de tecnologia de memória flash 3D em junho de 2007, a Toshiba continuou a avançar o desenvolvimento.
A Toshiba produzirá a nova BiCS Flash ccom 64 camadas na New Fab 2 de operações em Yokkaichi, que foi oficialmente inaugurada no início deste mês e produção de massa de BiCS Flash de 64 camadas está projetada para começar no primeiro semestre de 2017.
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