Samsung e SAP inauguram centro de P&D para plataformas de memória

A Samsung Electronics e a SAP inauguraram na quinta, 28, um centro de pesquisa e desenvolvimento (P&D) conjunto para criar plataformas de in-memory computing de próxima geração. O centro está localizado no campus da Samsung em Hwaseong, na Coreia do Sul.

O novo centro tem um sistema de servidores que usa plataforma in-memory de 24 terabytes (TB) baseada em módulos tridimensionais DDR4 3DS de 128 GB – que são módulos DRAM fabricados em nodes de 20 nanômetros (nm). Nele, engenheiros das duas empresas vão trabalhar para desenvolver tecnologias in-memory com processamento de dados mais rápido e análises mais precisas para o volume de dados que cresce rapidamente. O plano é conseguir módulos da classe de 10nm 256GB 3DS DRAM para melhorar a performance do sistema como um todo e aumentar a eficiência energética no próximo ano.

A expectativa da Samsung e da SAP é impulsionar o mercado global de ofertas in-memory com pesquisa de ponta para a próxima geração de DRAM e trabalhar a comercialização em conjunto.

“Com a nossa mais recente tecnologia 10nm-class DRAM, a Samsung Electronics será capaz de prover soluções mais avançadas para os sistemas in-memory de próxima geração da SAP de uma maneira altamente eficiente”, comentou em nota o presidente do negócio de memória da Samsung, Dr. Young-Hyun Jun. Adaire Fox-Martin, presidente para o Japão e Ásia-Pacífico da SAP, por sua vez, ressaltou que a colaboração com a Samsung estende a parceria já existente entre as empresas e “representa o comprometimento de impulsionar a inovação e ajudar os clientes a vencer na economia digital”.

O centro também oferecerá soluções customizadas para clientes de soluções in-memory otimizadas com provisionamento e suporte técnico amplo, que inclui testes da plataforma SAP HANA e avaliação das soluções mais recentes de soluções de memória de alta densidade e alta performance da Samsung.