Samsung inicia produção da primeira memória flash universal integrada de 512GB

Com recurso aos mais recentes chips Samsung V-NAND de 64 layers (camadas) de 512GB da Samsung, as novas memórias oferecem uma capacidade de armazenamento incomparável e um impressionante desempenho, podendo ser utilizadas nos smartphones e tablets da próxima geração.

“A nova eUFS de 512GB da Samsung disponibiliza atualmente a melhor solução integrada de armazenamento destinada à próxima geração de smartphones premium, ao ultrapassar as eventuais limitações de desempenho do sistema com a utilização de cartões Micro SD”, disse, em comunicado, Jaesoo Han, Vice-Presidente Executivo da área de Memory Sales & Marketing (Vendas e Marketing de Memórias) na Samsung Electronics.

“Com o fornecimento antecipado e estável desta avançada solução de armazenamento integrado, a Samsung está a dar um grande passo no contributo para o lançamento oportuno da próxima geração de dispositivos móveis em todo o mundo”, acrescentou o executivo.

Composto por oito chips Samsung V-NAND e por um controlador, todos sobrepostos entre si, a nova eUFS  duplica a densidade das anteriores Memórias Flash Universal integradas de 256GB baseadas em chips Samsung V-NAND de 48 layers (camadas), utilizando o mesmo espaço ocupado pela solução de 256GB.

O aumento da capacidade de armazenamento permite uma experiência de mobilidade mais extensa, permitindo que um smartphone de topo guarde, por exemplo, aproximadamente 130 videoclipes em 4K Ultra HD (designação equivalente à resolução 3840×2160), com uma duração de 10 minutos* – o que traduz um aumento de capacidade 10 vezes superior ao disponibilizado pelas Memórias Flash Universal integradas Samsung (eUFS) de 64GB, que permitiam armazenar apenas cerca de 13 vídeos desta dimensão.

Para maximizar o desempenho e a eficiência energética das novas memórias, a Samsung recorreu ao design de circuitos avançados do chip Samsung V-NAND e %12, e ainda à nova tecnologia de gestão energética do controlador da Memória Flash Universal integrada Samsung (eUFS) de 512GB, que minimizam o inevitável aumento de consumo de energia, que é particularmente relevante pelo facto de a nova solução eUFS de 512GB possuir o dobro das células, comparativamente com a eUFS de 256GB. Para além disso, o controlador da Memória Flash Universal integrada Samsung (eUFS) de 512GB tem a capacidade de acelerar o processo de mapeamento, para conversão dos endereços de blocos lógicos para os endereços de blocos físicos.

A Memória Flash Universal integrada Samsung (eUFS) de 512GB da Samsung possui um forte desempenho de leitura e de escrita/gravação. A sua leitura e gravação sequencial atingem os 860 megabytes por segundo (MB/s) e os 255 megabytes por segundo (MB/s), respetivamente, permitindo a transferência de um clipe de vídeo em Full HD, equivalente a 5GB, para um SSD em cerca de seis segundos – o que representa uma velocidade oito vezes superior à de um típico cartão MicroSD.

Em operações aleatórias, a nova Memória Flash Universal integrada Samsung (eUFS) pode ler 42.000 operações de entrada e saída por segundo[1](IOPS – Input/Output Operations Per Second) e escrever 40.000 operações de entrada e saída por segundo (IOPS). De acordo com as rápidas gravações aleatórias da Memória Flash Universal integrada Samsung (eUFS), que são aproximadamente 400 vezes mais rápidas que a velocidade de 100 IOPS de um cartão MicroSD convencional, os utilizadores móveis podem usufruir de experiências multimédia perfeitas, como o disparo sequencial de alta resolução, a pesquisa de ficheiros e o download de vídeos no modo de visualização dual-app.

A Samsung pretende, não só aumentar progressivamente o volume de produção dos seus chips Samsung V-NAND de 64 layers (camadas) e 512GB, como também expandir a produção de chips Samsung V-NAND de 256GB. Esta estratégia deverá responder ao aumento da procura de soluções avançadas de armazenamento móvel integrado, de Memórias SSD premium e de cartões de memória amovíveis com alta densidade e desempenho.