Press release

Kioxia ganha prêmio de invenção imperial da Comenda Nacional de Invenção de 2020

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Kioxia Corporation, um líder mundial em soluções de memória, anunciou hoje que recebeu o Prêmio Invenção Imperial 2020 da Comenda Nacional de Invenção para a Invenção da empresa do Dispositivo de Memória Flash 3D de Alta Densidade e Método de Fabricação (Patente n.º 5016832), o que aumenta muito a capacidade de memória e diminui os custos de fabricação.

O prêmio foi organizado pelo Instituto de Inovação e Inovação do Japão e demonstra a importância da memória flash para armazenamento de dados em aplicações que variam de smartphones a centros de dados. O prêmio Comenda Nacional de Invenção reconhece invenções, ideias ou designs excepcionais que alcançaram ou se espera que alcancem resultados substanciais devido à sua excelência. O prêmio Invenção Imperial é o prêmio de maior classificação do programa.

Premiados (funcionários da Kioxia a menos que de outra forma indicado)

Prêmio Invenção Imperial:

  • Masaru Kito, gerente de grupo, Centro de desenvolvimento de memória avançada
  • Hideaki Aochi, especialista sênior, Instituto de pesquisa e desenvolvimento de tecnologia de memória
  • Ryota Katsumata, assistente do gerente geral, Centro de desenvolvimento de memória avançada
  • Masaru Kido, especialista-chefe, Divisão de estratégia de desenvolvimento de memória
  • Hiroyasu Tanaka, especialista-chefe, Centro de desenvolvimento de memória avançada
  • Akihiro Nitayama (anteriormente Toshiba Corporation)

Prêmio de Realização de Implementação:

Nobuo Hayasaka, presidente e diretor executivo

A tecnologia de memória flash tridimensional da Kioxia também foi reconhecida com o Prêmio do Ministro da Educação, Cultura, Esportes, Ciência e Tecnologia de 2019 em Comenda Local pela Invenção de Chubu, e recebeu o Prêmio Andrew S. Grove do IEEE de 2021 por contribuições pioneiras e sustentadas para a memória flash tridimensional de alta densidade.

A tecnologia convencional de memória flash bidimensional organiza as células em uma estrutura bidimensional, onde a célula de memória, a unidade mínima para armazenar dados, é colocada em uma direção plana. A miniaturização das células de memória aumenta a capacidade de memória por unidade de área, o que permite maior capacidade e também reduz os custos de produção. No entanto, a miniaturização está se aproximando de seus limites físicos.

A premiada tecnologia de memória flash tridimensional da Kioxia é uma abordagem inovadora que simplificou muito o processo de fabricação para empilhar células de memória verticalmente para realizar memória flash 3D de alta densidade. Considerando que o empilhamento convencional exigia processos de deposição e padronização repetidos para a fabricação da matriz de células de memória, esta tecnologia primeiro empilha os materiais para as células de memória e, em seguida, faz cada célula simultaneamente usando um processo de padronização único, reduzindo significativamente as etapas de processamento.

A memória flash tridimensional de alta capacidade e alto desempenho é agora a tecnologia líder de mercado. Depois de comercializar BiCS FLASH™ de 48 camadas, memória flash tridimensional em 2015, a Kioxia passou a produzir versões em massa de 64 e 96 camadas de densidade extra alta.

Sobre o Kioxia Group

A Kioxia é líder mundial em soluções de memória, dedicada ao desenvolvimento, produção e venda de memória flash e unidades de estado sólido (Solid State Drive, SSD). Em abril de 2017, a Toshiba Memory, sua antecessora, foi desmembrada da Toshiba Corporation, empresa que inventou a memória flash NAND em 1987. A empresa é pioneira em soluções e serviços de memória flash de ponta que enriquecem a vida das pessoas e ampliam os horizontes da sociedade. A BiCS FLASH™, tecnologia inovadora de memória flash em 3D da Kioxia, está definindo o futuro do armazenamento em aplicativos de alta densidade, inclusive em smartphones avançados, PCs, SSDs, automóveis e centros de dados.

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