Material descoberto pode produzir transístores mais rápidos
Uma equipa internacional de investigadores descobriu um novo material com uma estrutura eletrónica parecida com o grafeno, mas capaz de existir em três dimensões, o que poderá levar à produção de transístores mais rápidos.
Este novo material descoberto tem o nome de Three-Dimensional Topological Dirac Semi-metal e é semelhante ao grafeno, sendo magneto-resistente. Contudo, este tem características tridimensionais e oferece taxas de transferência de eletrões muito mais elevadas. O 3DTDS é uma forma do composto químico bismutato de sódio.
O grupo de investigadores que descobriu este material são cientistas da Universidade de Oxford, da Diamond Light Source, do Rutherford Appleton Laboratory, da Universidade de Stanford e da Advanced Light Source, do Berkeley Lab. A utilização do 3DTDS deverá resultar em discos rígidos mais compactos e com maior capacidade.
Com este novo material, será possível colocar dez terabytes de informação, no mesmo volume necessário hoje para um terabyte de dados. O grafeno é bidimensional, sendo produzido em folhas planas cerca de um milhão de vezes mais fina do que uma folha de papel.
O estudo realizado pela equipa de investigadores confirma a existência do material com outras propriedades do grafeno, sobre a qual vários investigadores teorizaram.
No entanto, ao contrário do grafeno, o 3DTDS permite que os eletrões sejam agrupados e fluam em todas as direções. Os eletrões na superfície do material dá-lhe uma propriedade magneto-resistência, permitindo que os dados sejam armazenados por inversão da polaridade de um bit.
