Fabricantes americanos e japoneses produzem memórias MRAM
Cerca de 20 empresas norte-americanas e japonesas unem-se em matéria de desenvolvimento tecnológico para produzir em massa uma nova geração de semi-condutores utilizando memórias MRAM.
As memórias MRAM têm melhor desempenho e consomem menos energia do que as atuais DRAM, permitindo melhorar o rendimento de dispositivos móveis.
O projeto será liderado pela Micron Technology e pela empresa japonesa Tokyo Electron e procura uniformizar os “chips” de armazenamento magnético (MRAM), que são capazes de disponibilizar até dez vezes mais velocidade e capacidade do que os DRAM. A tecnologia deverá ser aperfeiçoada nos próximos três anos e prevê-se que a produção em massa arranque em 2018.
Cada uma das empresas participantes no projeto irá enviar especialistas para a universidade de Tohoku, no nordeste do Japão, onde vai começar a desenvolver os novos modelos de memória a partir de fevereiro.
Ao contrário da memória RAM (Random Access Memory), a memória MRAM (Magnetic Random Access Memory) não utiliza energia elétrica para a armazenagem de dados, mas sim a energia magnética, permitindo evitar a perda de dados quando há falhas de tensão.
Outras das vantagens deste tipo de memória é o desempenho elevado e os baixos consumos de energia.
Entre os outros participantes do projeto de investigação, que está baseado na Universidade Tohoku em Sandai, incluem-se a Shin-Etsu Chemical, Renesas Electronics e Hitachi.
A Toshiba e a SK Hynix estão a desenvolver em parceira um projeto de pesquisa separado, enquanto que a Samsung Electronics conduz a sua própria investigação sobre o novo chip.
